El transistor de efecto de campo, comúnmente conocido por sus siglas en inglés FET (Field-Effect Transistor), es un tipo particular de transistor que utiliza un campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal de «portador de carga» en un material semiconductor.
En esencia, la corriente fluye a lo largo de este canal entre la fuente y el drenaje, siendo el voltaje aplicado en la puerta el que modula esta conductividad. El funcionamiento básico de un FET se basa en la variación del ancho del canal de conductividad a medida que se modifica el voltaje en la puerta.
Cuando se aplica una tensión positiva a la puerta con respecto a la fuente, se crea un campo eléctrico que atrae portadores de carga negativa (electrones) hacia el canal. Esto provoca que el canal se vuelva altamente conductivo, permitiendo que la corriente fluya desde el drenaje hacia la fuente.
Existen diversos tipos de transistores de efecto de campo, cada uno con propiedades específicas y aplicaciones preferentes. Algunos de los tipos más comunes son:
- JFET (Transistor de Efecto de Campo de Unión): Este tipo de FET tiene una región de agotamiento que rodea el canal, creando una unión p-n. La corriente puede fluir de la fuente al drenaje, pero su intensidad es controlada por la tensión aplicada en la puerta.
- MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Óxido Metálico Semicondutor): Es la forma más utilizada de FET. Tiene una capa de óxido de silicio entre la puerta y el canal que aisla eléctricamente la puerta. Esto permite que el MOSFET tenga una alta impedancia de entrada y se use en una amplia variedad de aplicaciones.
Los FET son esenciales en la industria de la electrónica debido a su amplia gama de aplicaciones. Su uso varía desde el simple encendido y apagado de la corriente hasta aplicaciones más complejas en circuitos integrados.
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