El 27P06 es un transistor MOSFET de canal P, diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia en circuitos electrónicos de baja y media potencia. Debido a su estructura de canal P, el 27P06 es ideal para configuraciones de conmutación en donde se requiere activar el flujo de corriente al aplicar un voltaje negativo en la compuerta con respecto a la fuente. Su baja resistencia en estado encendido permite una alta eficiencia en aplicaciones de conmutación, reduciendo las pérdidas de energía.
Contenido
Características principales del MOSFET 27P06
- Tipo de canal: Canal P
- Voltaje máximo de drenaje a fuente (Vds): -60 V
- Corriente máxima de drenaje (Id): -27 A (a 25 °C)
- Resistencia de drenaje a fuente en estado encendido (Rds(on)): 0.12 Ω (con Vgs = -10 V)
- Voltaje de compuerta (Vgs): Máximo ±20 V
- Potencia de disipación: 75 W (con un adecuado disipador)
- Encapsulado: TO-220, adecuado para montaje en disipadores de calor para mejorar la disipación térmica.
- Temperatura de operación: -55 °C a +175 °C
Descripción de funcionamiento
El MOSFET 27P06 es adecuado para ser usado en aplicaciones de conmutación de alta eficiencia, como inversores, convertidores de potencia y fuentes de alimentación de modo conmutado. Su baja resistencia en estado encendido (Rds(on)) minimiza las pérdidas durante la conducción, lo que lo hace ideal para circuitos que requieren una conmutación rápida y eficiente. Al aplicar un voltaje negativo en la compuerta respecto a la fuente, el MOSFET entra en conducción, permitiendo el paso de corriente desde el drenaje hacia la fuente.
Aplicaciones típicas
- Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
- Circuitos de control de motores y actuadores
- Inversores y convertidores DC-DC
- Sistemas de gestión de energía en dispositivos electrónicos
- Aplicaciones de conmutación en baterías y sistemas de protección
Ventajas
- Alta capacidad de corriente y bajo voltaje de conmutación
- Baja resistencia en estado encendido, lo cual reduce las pérdidas térmicas
- Adecuado para aplicaciones de alta frecuencia debido a su rápida conmutación
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